日本电子维修技术 内存X299第三时许(小参)讨论




X299第三时许测试
测试平台R6A+7980XE(4.6)+海盗船16*4(4000C15 15 1T电压1.5)

R6A平台说明.png (126.79 KB, 下载次数: 0)

2020-3-17 16:55 上传


固定第一时许和第二时许 修改第三时许

TCCD。         0
TCCD-L。      4

TCCD(0) TCCD-L(4).jpg (312.59 KB, 下载次数: 0)

2020-3-17 16:56 上传


TCCD。        4
TCCD-L。     4

TCCD(4) TCCD-L(4).jpg (315.59 KB, 下载次数: 0)

2020-3-17 16:56 上传


TCCD。        2
TCCD-L。     2

TCCD(2) TCCD-L(2).jpg (306.21 KB, 下载次数: 0)

2020-3-17 16:57 上传

   
TCCD。        0
TCCD-L。     2

TCCD(0) TCCD-L(2).jpg (242.49 KB, 下载次数: 0)

2020-3-17 16:57 上传


TCCDWR.      0  
TCCDWR-L    4 (正常跑分)


TCCDWR.      4
TCCDWR-L    4

TCCWR(4)TCCWR-L(4).jpg (360.68 KB, 下载次数: 0)

2020-3-17 16:58 上传


TCCDWR.      0
TCCDWR-L    2

TCCWR(0)TCCWR-L(2).jpg (307.63 KB, 下载次数: 0)

2020-3-17 16:59 上传



TRRDR 7改2

TRRDR 7改2.jpg (306.15 KB, 下载次数: 0)

2020-3-17 17:00 上传



TRRDD 7改2。(电压1.5跑蓝加了0.02)接下来的测试电压全部都是1.52

TRRDD7改2.jpg (308.78 KB, 下载次数: 0)

2020-3-17 17:01 上传



TRWDR电压1.52 18改7 (跑Write蓝) 改12(18改12 1.52成功跑分)

TRWDR电压1.52 18改7 (跑Write蓝) 改12.jpg (308.14 KB, 下载次数: 0)

2020-3-17 17:01 上传


TRWDD电压1.52 18改12

TRWDD电压1.52 18改12.jpg (305.92 KB, 下载次数: 0)

2020-3-17 17:02 上传


TRWDD电压1.52 12改7

TRWDD电压1.52 18改12 12改7.jpg (299.38 KB, 下载次数: 0)

2020-3-17 17:02 上传



TWRDR 7改3
TWRDD 7改3
TWWDR7改3  
TWWDD7改3 (有提升效果不太大)

TWRDR TWRDD TWWDR TWWDD(7改3).jpg (319.11 KB, 下载次数: 0)

2020-3-17 17:03 上传



TRWSR15改8(1.52蓝)改12(15改12成功有点吃电压 有提升)

TRWSR15改8(1.52蓝)改12.jpg (311.93 KB, 下载次数: 0)

2020-3-17 17:03 上传


TRRDS 5改2
TRWDS 18改7
TWRDS7改2
TWWDS3改2 (这些感觉提升不明显 )全部压完参数图

TWRDS7改2 全部改完.jpg (329.86 KB, 下载次数: 0)

2020-3-17 17:04 上传


4000C13单面8*4极限

4000C13.jpg (322.3 KB, 下载次数: 0)

2020-3-17 17:04 上传




评论

tCCDtRDRD dg配置同等级分隔(rank separation)参数的 Back to Back(后 - 后) CAS 至 CAS(即:READ 至 RAED 或 WRITE 至 WRITE)tCCD LtRDRD sg配置同等级分隔(rank separation)参数的 Back to Back(后 - 后) CAS 至 CAS(即:READ 至 RAED 或 WRITE 至 WRITE)tCCD WRtWRWR dgtCCD WR LtWRWR sg配置同一个等级分隔(rank separation)参数的 Back to Back(后 - 后) CAS 至 CAS(即:READ 至 RAED 或 WRITE 至 WRITE)tRRDRtRDRD dr different rank of same DIMM从不同的 DIMM separation(分隔)参数配置 Read to Read(读 - 读)不同的等级死循环 Back to Back(后 - 后)READ to WRITE(读 - 写)tRRDDtRDRD dd different DIMM配置不同 DIMM 分离参数的 Read to Read(读 - 读)不同 DIMM 死循环 Back to Back(后 - 后)READ to WRITE(读 - 写)tRWDRtRDWR dr different rank of same DIMM配置不同等级分离参数的 Read to Wirte 不同等级死循环 Back to Back(后 - 后)READ to WRITE(读 - 写)tRWDDtRDWR dd different DIMM配置不同 DIMM 分离参数的 Read to Write 不同 DIMM 死循环 Back to Back(后 - 后)READ to WRITE(读 - 写)tWRDRtWRRD dr different rank of same DIMM配置不同等级分离参数的 Write to Read 不同等级死循环 Back to Back(后 - 后)READ to WRITE(读 - 写)tWRDDtWRRD dd different DIMM配置不同 DIMM 分离参数的 Write to Read 不同 DIMM 死循环 Back to Back(后 - 后)READ to WRITE(读 - 写)tWWDRtWRWR dr different rank of same DIMM配置不同等级分离参数的 Write to Write 不同等级死循环 Back to Back(后 - 后)READ to WRITE(读 - 写)tWWDDtWRWR dd different DIMM配置不同 DIMM 分离参数的 Write to Write 不同 DIMM 死循环 Back to Back(后 - 后)READ to WRITE(读 - 写)tRWSRtRDWR sr same rank配置同等级分离参数的 Read to Write 相同等级死循环 Back to Back(后 - 后)READ to WRITE(读 - 写)tRRDStRDRD ds different banks of same rank同等级不同存储单元中激活的两行之间的时钟数tRWDStRDWR ds different banks of same ranktWRDStWRRD ds different banks of same ranktWWDStWRWR ds different banks of same rank

评论
好威猛,可惜我要大内存

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好帖 mark

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谢谢分享

是mesh体质不好吗,

直接3.2提升比控制这些小参的提升要大很多  小参动了不稳定不如不动

评论

随手一测。。看个大概吧

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哇哦是老孔

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哇哦是老孔

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Turn Around Timings更新至2#
1DPC依旧不用考虑DD后缀

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