下一代主存开发最活跃的选手当属Micron, 在CES 2020上美光宣布开始试样1z nm制程的RDIMM
官网上有一份新的白皮书具体详细解释了更多技术细节, 结合之前这篇简要前瞻的阅读可以对DDR5 SDRAM有更深入的了解
A. Performance性能方面
1. 最大BG(Bank Groups)
从4个增加到8个, 每个Group下最大Banks数依然为4个, 因此最大总Banks数从4*4=16个增加到8*4=32个
在一个特定BG内的Bank间延迟要比BG之间Interleaved的高, 前者有长时序tCCD_L, tWTR_L, tRRD_L, 后者包含短时序tCCD_S, tWTR_S, tRRD_S
tCCD_L数字会接近tCCD_S的一倍, 显然增加BG后短时序访问的几率增大
2. BL(Data Burst Length)突发长度
从BL8增长到BL16, 提升CMD/ADD和Data Bus效率, 同时减少了64B Cache Line访问所需的I/O数量
这使得DDR5可以开启DIMM上双通道, 左右两边Data Bus各为独立的通道, DIMM左右对称也是强迫症们喜闻乐见的事情
含ECC的DDR4 DIMM为64bit+8bit ECC=72bit, DDR5变为左边32bit+8bit ECC, 右边32bit+8bit ECC, 总共64bit+16bit ECC=80bit
3. REFRESH Commands刷新命令
在标准命令ALL-BANK REFRESH(REFab)的基础上新增SAME-BANK REFRESH(REFsb), 此命令专门对准所有BG里面的同一个Bank
普通刷新命令(如tRFC, tREFI)必须在所有Banks处于Idle空闲状态下才能进行, REFsb只要求所有BG中的第1个Bank处于Idle(下图中红色Bank 2)
每个BG中的剩余3个Banks没有这个要求(下图中蓝色Banks), 对这些Banks的唯一延迟限制是tREFSBRD(same-bank-refresh-to-activate delay)
REFsb只能在FGR(Fine Granularity Refresh)精细粒度刷新模式下发出, 意味着每个Bank平均1.95μs收到此命令
在16Gb DDR5 SDRAM颗粒上, REFsb持续时间只有130ns, 作为对比REFab分别为3.9μs和和295ns
模拟数据显示相比REFab, 应用REFsb时带宽平均提升达6~9%, 不同读写比率稍有区别, 0%和100%随机读取时优势最大
与此同时, 应用REFsb后降低了刷新命令对平均Idle延迟的影响, 从原来的增加11.2ns降到增加5.0ns
4. Performance Improvement带宽性能提升
下图是初步测试下来的DDR5单DIMM带宽提升, 数据基于16Gb颗粒模组八通道1DPC, SR=1Rank, DR=2Ranks
刚好手里就是八通道DDR4-3200 2R 1DPC, CPU是EPYC Rome 7702 64C全核2.6G, 8根156GB/s也就是每根19.5GB/s
DDR5-3200 1R 32GB单条可以提升4.7GB/s, 单条达到24.2GB/s, 八通达到193.6GB/s, 24.2/19.5=1.24, 图中为1.28
DDR5-3200 2R 64GB单条再加1.3GB/s, 单条达到25.5GB/s, 八通达到204GB/s, 25.5/19.5=1.31, 图中为1.36
DDR5-4800 1R 32GB单条在3200基础上增加5GB/s, 单条达到30.5GB/s, 八通达到244GB/s, 30.5/19.5=1.56, 图中为1.66
DDR5-4800 2R 64GB单条再加3.6GB/s, 单条达到34.1GB/s, 八通达到272.8GB/s, 34.1/19.5=1.75, 图中为1.87
所以2021-22年DDR5-3200一上来, 相比DDR4-3200同规格容量性能直接提升30%以上, 这么大的同频提升在DDR SDRAM史上非常罕见
B. RAS可靠性, 可用性和可维护性
1. 新增On-die ECC
DDR5 SDRAM采用了SEC(Single Error Correction), 128bits数据加上8bits奇偶校验组成136bits
2. PPR(Post-Package Repair)增强
DDR4在sPPR前需要备份数条Rows, DDR5减少到1条指定Row, 备份时间降低到~2μs/每Row数据
C. Implementation Simplification简化措施
1. MPC(Multi-Purpose Command)多用途命令
越来越高的频率使得DRAM初始化和Training越来越难, 在之前版本的DDR SDRAM上, 这些功能通常都是通过单个命令或模式寄存器设置
References
https://www.tomshardware.com/news/micron-begins-sampling-ddr5-rdimms
https://www.micron.com/-/media/client/global/documents/products/white-paper/ddr5_new_features_white_paper.pdf?la=en
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原来如此，我懂了
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原来如此，我懂了
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原来如此，我没懂
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苏妈算的真是精准啊，明年zen4就可以上DDR5了
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坐等DDR5平台APU
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字我都认得~~~
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虽然看不懂，还是支持一下（悄咪咪问一下，那边写的dimm下双通道的意思是单条内存也可以跑双通道了么，那对itx来说真的是好消息啊）
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明白了，谢谢
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字我都认得~~~ 只get到 同规格同容量比DDR4 30%提升 害怕
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这么说 新平台PCIE5和DDR5一起来也是真的？
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原来如此，我懂了
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会不会有2 DIMM，4通道的APU因此而出现...
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就算有，怕也是E3 2022的事情了吧……
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所以带宽计算方式要改变了吗？
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眼睛：原来如此，我懂了
脑子：不，你没懂
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我只懂即使明年上市我也买不起，看看 2023 24年能不能搬够砖吧
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可惜酥麻不会出台高端的集显
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是不是意味着我可以捡ddr4内存的垃圾了？
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那么DDR4中BL通常为8？其他数值，如4可能出现吗？
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DDR4中BL为8，其他数值如4是否会出现？
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===是说DDR5可以单条双通道？？？
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DDR5真正上市也起码是明年年底甚至后年了吧？
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所以留给D4的时间还有两年吗
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眼睛：哦 我懂了！
脑子：
电路 电子 维修 求创维42c08RD电路图 评论 电视的图纸很少见 评论 电视的图纸很少见 评论 创维的图纸你要说 版号，不然无能为力 评论 板号5800-p42ALM-0050 168P-P42CLM-01 电路 电子 维修 我现在把定影部分拆出来了。想换下滚，因为卡纸。但是我发现灯管挡住了。拆不了。不会拆。论坛里的高手拆解过吗？ 评论 认真看，认真瞧。果然有收
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