想写这个贴的缘由来自这个贴：https://www.chiphell.com/thread-2189234-1-1.html
其实在这个贴之前，也见过不少朋友 不清楚 MLC、TLC 到底是如何存 2bit、 3bit 的...
所以，就开个贴，不严谨但易懂的来说明下吧
先从看到的回帖开始，整理下，大概有以下几种错误理解：
1. TLC 使用 SLC 模式时，相当于内部 RAID 了，所以速度变快了
2. TLC 的 3bit 合成 1bit 了，就像GPU的整数缩放一样
3. TLC 使用 SLC 模式时，3个存储单元轮个存，所以寿命变成3倍了
4. TLC 1T 的写入寿命 和 模拟成 SLC 后的 333G 一样（大概潜台词是：33%寿命 * 300%容量 = 300%寿命 * 33%容量）
总结下，大家错误理解中的 MLC、 TLC 似乎是这样子的：
nand1.png (17.45 KB, 下载次数: 0)
再说说 MLC、 TLC、 QLC 到底为了什么
其实大家也都明白：为了省成本。即，一样多的晶体管存更多的数据
但上面那样子的单元明显不好实现这个目标
所以实际的是这样子的：
nand2.png (17.13 KB, 下载次数: 0)
那怎么一个框放 3bit 的东西咧？其实所谓的 1bit、2bit、3bit，可以分别对应2种状态，4种状态，8种状态
也就是说，一个框如果能有8种状态，就能存 3bit 数据啦（同理，如果能有16种状态，QLC就有啦）
nand3.png (20.18 KB, 下载次数: 0)
提前备注下：实际不是以电子个数来判断，而是以电压高低来做判断的。
这里只为了方便举一连串 大家可以联系现实生活事物 的例子
阅读的时候，大家就当电子个数和电压是成正比的就行（具体一颗粒确定后，其cell的电容是确定的，所以电压和电子个数成正比）
求大佬们放过，不要纠结这个点了。实在没时间去细细琢磨行文。
我明白大佬们懂这个。如果大佬们有时间，欢迎写一个更加准确易懂的。
那是怎么区分这么多状态咧？靠框里电子的多少
比如上面MLC的一个框，最多存1000个电子。
辣么MLC就这么快乐的约定下：
1. 0-250个电子时，表示00
2. 251-500个电子时，表示01
3. 501-750个电子时，表示10
4. 751-1000个电子时，表示11
即每250个电子为一档
但实际中，很难精确的控制主控往一个框里放电子的个数
比如实际存上了425个电子。但没事，250个电子为一档，251-500之间都当作01，所以这个框还是能被主控成功读取成01了
存上之后就万事大吉啦？也不是，这个框有破洞，电子会慢慢的溜走。过了一年，475个电子溜走了50个，还是剩下425个。但依旧大丈夫，因为251-500之间都当作01，所以这个框还是能被主控成功读取成01
而且，这些洞在电子放进（P/E）取出n次之后，会越来越大（颗粒开始磨损），原本一年溜走50个，慢慢的就变成了一年溜走200个
那TLC呢？
还是当作一个框能存1000个电子，为了表示8种状态就需要分成8档，每档125个电子。
1. 0-125个电子时，表示0000
2. 126-250个电子时，表示001
3. 251-375个电子时，表示010
4. 376-500个电子时，表示011
5. 501-625个电子时，表示100
6. 626-750个电子时，表示101
7. 751-875个电子时，表示110
8. 876-1000个电子时，表示111
一样的，主控给这个框实际存上的电子个数没法精确，而每一档容许的范围更小了，所以：
1. 主控得更加小心的放电子，手不能太抖（当年新主控升级TLC；以前的老主控手太抖）
2. 存上之后，允许溜走的个数也变少了
而，第2点，进一步地讲：
MLC和TLC的2个框，MLC放进了表示01的475个电子，TLC放进了表示001的220个电子，同样让电子进出2000次，同样造成了一年溜走200个电子的结果，但MLC框里还有275个电子，依旧还表示01，而TLC框里就剩下了20个电子，依旧不再是01的状态了，这个时候TLC读取的数据就错误了
所以，例子中的TLC，就不该允许电子进出2000次。可能只能在进出<=1500次时，数据才可以正确持久的保存。
这就是TLC的PE比MLC少的原因... 之一...
原因之二其实是工艺的推进带来的
TLC晚于MLC，普遍用的工艺更先进。这也就意味着桶更小，桶壁更薄
TLC桶可能就只能存800个电子了，100个电子一档，壁也更薄。两点综合起来，电子进出1000次就破的不能用的...
那么，3D NAND为何又更加坚挺了一些呢？
因为所用工艺缩回去了... 因为靠3D的结构来提升了密度，就不用依赖最先进的工艺来提升密度了
大概就这些吧。
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不是存多少电子，而是电压分级采样判决，你分的越细，能存的bit就越多，死的越快
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都说了不严谨 但为了易懂....
我就为了图方便举例子而已
而且
单元本身就是通过捕获电子来存数据的，最后数据丢了也是电子溜了
本身的电压也需要电子多寡来维持
只是主控识别数据到底是啥，不是通过数电子多少，而是电压多少
这块确实有容易误解的地方
我编辑标注下：不是按个数来的，而是按电压
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牙膏厂/镁光B0KB 3D TLC颗粒是384Gb，同源的L06 3D MLC颗粒却是256Gb，不知道是咋操作的
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这没问题啊...
就当他128个单元
TLC就是128*3
MLC就是128*2
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难道不是192Gb？
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这2bit 3bit指的 一个单元可以存2bit或3bit
而不是可以存2^2bit数据和2^3bit数据
所以不是减半
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感觉英特尔H10这种混合的产品应该才是兼顾寿命和大容量的
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想法是好的 ，然而实现起来太难啊，HDD当年不也是搞了个混合硬盘嘛，那还是固件层面的混合，牙膏自己搞RST也很多年了
而H10干脆就是软件层面的混合，其实就是一个物理的X4，里面分了一个X2的傲腾一个X2的QLC，不装驱动就是俩盘，糙的很，说穿了就是为了清16、32的傲腾垃圾片的库存搞的糊弄人的货，技术含量比SSHD差远了，用起来问题也很多，农企的StoreMI同理
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三星的V NAND，860evo国外的一些网站对它颗粒的说法是3 bit MLC。。。那860pro和860evo是颗粒的不同还是主控对他的储存模式不同？
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850pro那年就说这事了，850pro的颗粒容量是86gb，就说128gb的tlc变过来的。后来的至少在容量上是分开做了
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高低电平
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所有的网站对他的说法都是3bit mlc
3bit mlc=tlc
SLC = Single-Level Cell single，意思是一
MLC = Multi-Level Cell Multi，意思是多
TLC = Trinary-Level Cell Trinary，意思是三
3bit mlc就是文字游戏，既然M是表示多个的意思，那么TLC就可以叫3bit MLC,QLC就可以叫4bit mlc
只能怪当年为什么要叫他MLC而不是DLC，Dual双
顺便860pro是tlc跑mlc
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嗯，970pro和970evo也是如此
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970pro不清楚
三星是有原生2bit 3d颗粒的
其他家倒是貌似没有
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其实，颗粒都一样，就看主控+固件怎么去用了
SLC cache就是灵活地用
TLC颗粒生产MLC型号，那就是固定着用
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H10这东西，太粗糙了
简直是临时想出来糊弄市场的东西
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感觉是实验品，配合14NM的Z390,H370,B360的芯片组的产品。下一代芯片组应该也有配套的类似产品
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实验品就留在实验室里好了-。-
兼容性问题都没好好解决
性能也没好好解决
投放市场的16-32G傲腾的加速方案本身 就不成熟...
还不如SRT好用，好歹没有什么白名单逻辑，好歹还能用64G，好歹重装了系统什么的也没啥大问题...
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其实P4800x颗粒也都是那么大的。就傲腾内存、4801x、大容量4800x和905p m2有64G单颗，而且是通过多 die封装出来的。
p48xchip.JPG (51.76 KB, 下载次数: 0)
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很好的科普文，谢谢楼主分享~
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正因为tlc阈值电压比较小而且不一定规则，所以tlc颗粒一般需要更高的电压，每家ecc算法区别也越来越大。
放电子更小心倒是不需要，nand写入的时候是直接给电压钳位过去，只是为了做tlc cell的绝缘层更厚，需要输入的电压也更精确，所以写入时间长一些。为了优化这个问题从2bit mlc开始就有lower page和upper page的概念了。
TLC_voltage.png (132.39 KB, 下载次数: 0)
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970 Pro 2bit V-NAND, 970 Evo 3bit V-NAND, 不要把棒子想的这么坏, 做错一次不代表永远都错
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-。- 我就知道 有人要贴这类图
想表达的就是一个意思
本身就是想类比一下 来更简单地传达意思...
妈蛋，我都用框来装电子了。你还想咋样
而且，随着颗粒的磨损，写入是要越加小心的....
你们这些个家伙，赶紧写个不容易懂 但更严谨的版本
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会的，不过我的ssd评测已经鸽子一年了，还在填坑。数据倒是越来越多，现在基本每家的旗舰都测过一遍了，估计得分2篇。。。
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记得隔壁科普过，不过现在帖子好像隐藏了
貌似是三星会隔代出一次2bit MLC？
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简单易懂 楼主给力
新工艺 和3D那里不太懂。可以这么理解么。以TLC规格制作的颗粒按照SLC的方式来使用（就是新闻贴里说的方式），寿命或性能会不会比SLC的高。因为我看文中写的，新工艺TLC对电压控制更精细。
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其实吧，用原生tlc开成mlc，寿命也是mlc的寿命，有可能更好，因为说难听点同样的die mlc是tlc挑剩的（因为tlc对漏电率的要求远比mlc高，所以必须用好体制的die）。
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“TLC跑MLC”不存在这种说法
TLC颗粒存2bit，就是MLC，和纯MLC没有任何区别
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是的没错
非原生MLC
有没有区别谁清楚
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虽然三星是从V-NAND 3bit基础上反向变成2bit和1bit, 但按照定义就是放几个bit/cell的区别
所以860QVO 4bit/cell就是QLC, 970 Evo 3bit/cell就是TLC, 970 Pro 2bit/cell就是MLC, 983/985 ZET 1bit/cell就是SLC
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不是这个意思
我意思是三星隔代有出原生2bit MLC 颗粒
而不是颗粒改标示头
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其实，我觉得，基础的知识点，更需要...
你们要不乐意写这些低端入门不洋气的贴，那我就继续写这 敲黑板 系列了...
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的确，感觉玩家论坛里普遍基础知识薄弱。所以我上一篇ssd文大部分都是基础知识。
其实吧，这种小帖子寿命不长，过几天沉了以后别人该不懂还是不懂。。。之前浴室就写过不少ssd科普，并没有什么卵用。。。所以我感觉最好还是有集大成的评测里附带知识比较好。
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如果工艺一样，颗粒等级一样，那么很可能是对的，因为TLC太傲娇，所以对颗粒体质的要求更高
但如果SLC和TLC工艺不一样，那么TLC开成SLC用之后，哪个寿命更久，就不好说了...
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一样卵用- -
评测是拿来看知识点的吗？
评测是拉到末尾看分数的好吧
我是想着 断断续续整理出一个 敲黑板 系列
到时候再搞个汇总贴，可能就好些
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镁光牙膏厂的Floating Gate浮栅型结构和三星东芝海力士的Charge Trap电荷捕获型结构这两者原理有何区别?
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你的意思是960pro还是TLC开MLC，970pro就是原生？
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FG的cell内部是导体，完全靠绝缘层防止漏电。CT内部结构是海绵状的，可以把电子固定在里面，这样就算写入比较多外部绝缘层穿孔了，漏电也比较低。FG一旦绝缘层导通整个cell就废了。
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其实我之前对小白的做法就是，如果你老发表奇怪的信仰言论的话，滚去看我的评测补充一下基础知识。好像这种做法某些人还看不惯。。。
说实在感觉纯技术贴在这个论坛完全混不下去，比如我前2篇（欢迎来顶）
https://www.chiphell.com/thread-2188283-1-1.html
https://www.chiphell.com/thread-2186293-1-1.html
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具体型号记不清了
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问问，
000 00 0
001 00 0
010 01 0
011 01 0
100 10 1
101 10 1
110 11 1
111 11 1
tlc mlc slc通过这种对应关系 多bit模拟少bit可能吗
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感谢。
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CHH毕竟不是纯粹的计算机硬件论坛，可能PCEVA会好一些。
但有你镜音大佬和J叔在，我感觉CHH电脑区和其他论坛还是有一战之力的。
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TLC阉割成MLC难道不是浮栅的状态数从8个变成4个么
[email protected]w_270h.jpg (57.91 KB, 下载次数: 0)
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差不多就是这样的关系。先写lower page然后写middle page最后upper page。说实在我觉得“模拟”这个词不太恰当，因为闪存本身结构都一样，只是开成哪一种而已。
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pceva已经凉了吧。。。说实在我们也都是业余的，和做方案的不能比
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所以从能存3bit数据变成了能存2bit数据
而不是从能存8bit数据变成了能存4bit数据
不知道这么解释能说明白不...
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但是存2bit需要4个电压级别，存3bit需要8个电压级别啊
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4个级别 = 可以表示 2bit的共4种情况
8个级别 = 可以表示 3bit的共8种情况
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这帖子写的很好
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你们不是从业人士吗？我一直以为你们业界资深人员。
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我觉得你这篇更像是汉化翻译改编的文章，然后远不如直接看原版更容易理解，知乎紫毛那个写的就一看就懂了
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科普贴挺有意思的。
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真是抱歉
我就一个爱好者，赶不上知乎大V们的
另外，哪来什么汉化改编，临时起意，一字一字码的
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我就一直很奇怪三星的V NAND是一批出来是分成几种 1 2 3 4bit/cell 还是他的3bit 2bit只是主控决定的其实是一个颗粒（就是如果能开卡是能把860evo和860pro互相转换？）
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支持学习留念。
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哦，我是指你和那些翻译书籍犯的常见错误一样而已，貌似被你误解了
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我来学习了大佬
盲猜图是visio画的
我记得见到过数码之家有人拿电子垃圾的MLC去开TLC，他用的那个盘的颗粒本身是支持两种状态的。不过好像最后没成功……
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个人猜测，同样的晶圆，在封装的时候开好是几bit，然后就不能变了
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有的die是原生slc mlc tlc，有的die是能开成几种，每家都是这样，搜一下pn decoder就知道。
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这东西占4X pcie，只有2X的速度。完全就是因为小容量傲腾智商税卖不掉搞得
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单维度来讲，状态越多越不好控制，但是呢，技术会前进，制作工艺和技术设计会弥补不足，同时带来了容量提升，不然intel也不会把tlc用在企业级上
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是这么回事，
为了利润，提升bits/cell，提升工艺，导致寿命降低；
然后研发新的纠错算法，新的主控，3d制造，新的颗粒结构来提升寿命
只要后面这些措施的成本 < 前者带来的利益，那么这个进程就会一直下去...
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主控和固件的事情
那些有SLC cache的SSD，不就是动态的将一些TLC单元当作SLC用吗
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这个确实是封装的事
不干主控和固件
intel出厂把TLC封装成MLC，你主控开不成TLC
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应该这么说 闪存颗粒读数据是用的电压表 而不是用的数闪存里的电子个数。。。那个没办法数的 电子只能存或者放 可以量取电压 不能像苹果一样一个个数！
假设一个闪存单元最大电压是2V（我当然知道实际小的多）
那么把它当成SLC来用 0-1V是0 1-2V是1
当成MLC 0.5V以下是00 0.5-1是01 以此类推
TLC 0.25以下是000 0.25-0.50是001 以此类推
好嘛 现在往TLC里写入001 主控往闪存里加电压 0.38V 加上走你
需要取数据的时候量一量电压 嗯0.36V 这个数据是001
闪存报废了其实就是电压稳不住了 你写入了0.36V结果量出0.24V 这就完蛋了
至于固态和闪存厂家开卡的时候模式 其实就是把主控的工作逻辑改了一下
同样的颗粒 MLC模式 写入01 加电压0.78V
读 0.58V 这个数据是01 没问题
于是这个TLC下不稳的闪存就活下来了
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哦，意思就是那些有SLC cache的SSD的颗粒是特殊型号？
比如某牌子黑片颗粒也是出厂特殊型号？
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我不是标注了么... 还是红字........ 我再去加个粗吧- -
用电子个数来举例子 不就是为了好方便举一连串的例子来解释怎么回事呢。
咋都在纠结这个点
还好你没说我 nand里是没有框的...
欢迎大佬们写一个更加易懂准确的帖子 来讲明白这一串事情
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335.jpg (72.14 KB, 下载次数: 0)
SLC cache和slc颗粒是完全一样的？
厂家可以从东芝镁光买mlc颗粒然后当TLC颗粒用？
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你看看鱼竿 QCH之类的盘就明白了.......
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鱼竿有MLC颗粒标TLC颗粒容量的产品？？？？
这玩意不都打磨颗粒，连实际颗粒是啥都看不出来么
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算了，我闪了- - 工作日
有些知识点确实没有深入了解到内部，且考证起来太费时间了
另外，如果大家对里头的一些知识点争议有点大，我先把贴删了，回头有时间修改过再发出来
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明白争议点在哪了
你说的是出厂原装指定的类型
我说的是应用层面的类型....
就像，一个出厂15W的低压U，和一个出厂45W，但是可以通用限制最大倍频 TDP等手段降低到15W的U....
问题就在于，这动过后续手段降低到15W的U 算不算15W的U的问题
其实我也没法给你非常确凿的答案
等大佬们来解答
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我也是和川总一样的想法。
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对的，就tricky在这。问了几个大神，大家观点都不是很一致，有的认为只是V NAND工作模式的不同，有的认为是颗粒封装就已经不同了。 也没有认识三星的人。。。
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鱼竿没有，但海康的c100还是c160是MLC颗粒当TLC用的。
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搜了下。这两也都是自封片..
怎么看出是MLC的
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有那么复杂么。。。比如L06B B0KB就是初始颗粒有个mlc tlc标称但是die都是一样的，实际生产看情况开，三星那边除了可以开成mlc的tlc外也有K9OMGY8S7M这种容量很整的原生tlc。实际上整个就是一个认证的问题，厂商的盘子方案验证过以后说是啥就是啥。cpu也是一样，你自己降频肯定不是标称，但是厂商自己降就是了，有些cpu还可以手动调节预设改变频率标称和tdp（比如n结尾的3647）。
slc cache或者mlc mode之类需要颗粒本身逻辑支持才能开。
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很好的科普文，谢谢楼主分享~
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应该是内部设计统一，通过控制单元决定SLC/MLC/TLC存储方式的，两张图说的很清楚
而且Physical wear limit都是一样的，只是SLC比MLC更早到达
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Reference：
Alsalibi, Ahmad & Mittal, Sparsh & Al-Betar, Mohammed & Sumari, Putra. (2018). A survey of techniques for architecting SLC/MLC/TLC hybrid Flash memory–based SSDs. Concurrency and Computation Practice and Experience. 10.1002/cpe.4420.
然而你们非要纠结那些有什么必要么
电路 电子 维修 我现在把定影部分拆出来了。想换下滚，因为卡纸。但是我发现灯管挡住了。拆不了。不会拆。论坛里的高手拆解过吗？ 评论 认真看，认真瞧。果然有收 电路 电子 维修 求创维42c08RD电路图 评论 电视的图纸很少见 评论 电视的图纸很少见 评论 创维的图纸你要说 版号，不然无能为力 评论 板号5800-p42ALM-0050 168P-P42CLM-01
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