最近经常看到坛友使用不正确的防掉压选项 而发现论坛根本没有科普相关的信息 所以觉得开个帖子讲一下比较好
防掉压是在合理范围内越低越好不是越高越好。
举例的话 如果目标负载电压都是1.3v
低掉压设置可能需要设置1.35v 中 1.3v 高 1.25v
这个能理解吧 越高的防掉压就是补偿的越多
现在问题来了 这负载一来的时候 供电掉压是物理特性 是板子补偿不了的
至于为什么 你知道电源有内阻吧 高负载就是cpu自己的等效电阻更低了 这样内阻占比就更高了
欧姆/kirchoff's rule告诉你你供电的电压一定降
那我又知道你想问为什么厂家这么SB 这压降既然一定发生为什么不想办法避免？
原因是主板再怎么智能能知道你运行的软件什么时候来负载吗？显然是不能的
负载更高的电流是u自己内部的晶体管开始工作大量开关导致等效连通降了内阻才叫来的
这之间的因果关系要搞明白 所以是无法用任何手段让这个压降不存在的
好了回到原来话题 现在负载来了
这时候你初始电压低 一瞬间瞬态掉压的结果就更低
低的可能掉到 1.28v 中掉到1.23v 高掉到1.18v你越高的掉压 这一瞬间掉的电压就越低
造成崩溃可能性就越高我想大家跑过很多烤鸡测试都知道 低于稳定电压一点点的时候 是出错 掉线程之类
但是如果低太多 就直接蓝屏了 这里就是这个道理 你本身初始电压可以维持目标频率的空载
但是掉压之后就出了安全范围 会直接造成崩溃/死机
注意你始终是调节掉压和初始电压然后让负载电压达到你的目标稳定电压
所以假设你本来就是1.3v稳定 而你固定初始1.25v 开始开掉压 当然就有一种越高越稳定的错觉
实际上你只是用掉压的压降瞬态之后的补偿达到了一个更高的实际负载电压 让你负载的时候稳定起来但是这样等于你就失去了摸到实际最低负载电压的机会 你的初始电压照顾了物理压降的瞬态不稳定性之后负载后电压很难做到正好是最优化的负载电压
至于为什么大家喜欢开防掉压呢？ 不就是因为无负载电压低 你看着舒服
其实杀硅片的根本不是温度 也不是电压 是负载下的高电流 你空载的时候再高的电压(当然是合理的高) 没有电流是不会大量电迁移导致缩肛的
最终的效果就是你设置一个高一点的初始电压 合理的vdroop反而更稳定
具体大概多少每个主板不一样 比较安全的设置是让你初始电压比负载电压高0.02v左右
注意这里的负载电压很大可能和你cpu-z和aida之类的软件显示的不一致 必须使用直接测量点用万用表才可以知道具体的负载电压
#20楼增加示波器直观对比结果
#25楼增加电跃迁和缩肛关系的物理学公式
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我很想吐槽来着 说那么多有什么用
就记住一句话 都是烤鸡稳定的时候 防掉压等级越高 空载的时候CPU电压就越低！
举例子 烤鸡需要电压1.2V 你设置的offset假设+0的时候是1.1V
空载需要电压0.6V 你的offset+0的时候是0.7V
防掉压完全关闭 烤鸡电压-0.1（实际没这么大 举例子而已） 蓝屏 然后你+0.2过了 此时你空载电压0.9 烤机电压1.2
防掉压开到中等 烤机电压+0 然后你+0.1过了 此时你空载电压0.8 烤机电压1.2
这里做点极端假设 防掉压开到最大 烤机电压+0.3 然后你特么降压 -0.2过了 此时你空载电压0.5 烤机电压1.2 结果就是烤鸡没事空载蓝屏。。。如果出现这种问题请检查防掉压设置
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实际上你的模型没考虑负载一瞬间的压降 那个会降到远低于你空载的电压。 对这个压降的敏感性就要看你主板电感设计和你vrm的开关频率
何况并且很多极限一点的超频用户都是关闭speedstep+cstate的 就是为了避免低负载蓝屏
如果要考虑节能选项那更是用更低的节能越需要了 但是实际上影响烤鸡出错的不是这个
我解释那些主要原因是因为坛友对主板掉压的情况有莫名的错误认识，经常有x牌主板就是莫名其妙掉压，怎么开防掉压都没用之类的说法
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楼主这言论妥妥民科风格啊，基于臆想出来的结论推断事实很容易得出错误的结论。文笔也不佳难以逻辑自洽。还是翻翻技术资料再来总结科普为好。
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同意二楼说法。想太复杂钻入错误的胡同了。CPU在某个频率需要足够高的电压维持稳定运行，防掉压就是是通过升压把掉下去的电压再补回合理范围。就这么简单。高负载就是单位时间导通的晶体管多了，测电压器件分到的电流变少了，对于恒定内阻的测压器件来说体现为电压降低了。通过CPU供电提升，让总电流再变大，测电压器件分到电流再变大，直到测得电压再提升到合理范围为止。
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你把我说的重新总结了一遍是要怎样？ 结果你还是不懂什么叫transient response. 电源loadline 振铃。 服了还民科。
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auto 乃万金油
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你的描述确实是错的.....
没有电压就不会有电流，可是没有电流却可以存在电压，这个你要先想明白.....
再来说电压和电流的关系，电阻恒定的情况下，电压和电流成正比，电压越高电流越大，所以按照你的逻辑，“杀硅片”的既是电压，也是电流.....
然后还有电阻，温度越高电阻越大，电压恒定的情况下电流就越小，cpu过热导致内阻增大，随后电流供应不足，只有通过提高电压的方式来增加电流，而电流一大温度更高，电阻更大，如此恶性循环.....
所以电流的大小是取决于电压和温度电阻，如果你初高中物理还没忘记的话，就会发现自己红色那段文字有多可笑.....
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没有负载的话就内部三极管没有高频开关 基本都是都断路 当然电流很少。。但是负载下高电压当然带来大电流 我告诉你的是高一些的待机电压并不会影响寿命。 充要条件学过没？如果有高电压不影响寿命的情况为什么可以直接说高电压一定造成硅片劣化？ 你评价别人觉得别人不懂的时候能否看看上下文，我之前才讲了cpu降低内阻叫来大电流，同时电源内阻占比变大造成压降,你觉得我两句话之后就会搞不懂这个事情了？
另外你后面说的才是完全错误的, 温度越高电阻越高，温度越低电阻越低，这也是为什么液氮下可以极高负载电压却可以对硅片本身造成很少的伤害，大量的液氮超频一次就要搞7-8个小时，挑出好体制的u还会反复被用来极限超频。如果低温内阻更低的话，负载电流将会大量超过设计极限，那些液氮u早就缩肛了，跑不了那么高了
你如果还需要更多的证据告诉你为什么高电流才杀硅请自己看intel志强系列的白皮书，任何型号都可以，看关于电气性能说明的部分都会批注最大持续电流，下面会有小字说明超过这个电流后cpu长期的稳定性将无法保证。
详见下图
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TIM截图20191228171607.png (131.81 KB, 下载次数: 0)
Iccmax 即为设计上的最大持续电流，根据cpu的tdp标注每款都不一样，右边note一行注意标注了467. 再看看467都写了什么???另外晶体管对温度内阻的的情况在这里
graph004.gif (33.72 KB, 下载次数: 0)
a-Resistance-temperature-curve-for-transistor-sensor-b-Resistance-temperature-curve.png (24.38 KB, 下载次数: 0)
建议随意给别人下结论的时候自己想清楚先，不然可笑的是自己就不好了
TIM截图20191228173923.png (245.15 KB, 下载次数: 0)
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楼主已经谈到电源内阻问题了，国内一般人大学里不学电子学，不会接触到这个点吧。还是把电源当恒定的高中物理模型来理解的。
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是不是可以这么说AMD电压一直比I家高，但是一样功耗下其实并不影响AMD的寿命，反而那些I家低压雕很容易缩呢？
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只是针对电路和电子原理在讨论，和品牌没有关系。
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说白了，还是那句话，小白不要玩儿超频
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我也根据上面的说法啊，一样功耗电压高了电流就小电子跃迁不是少么
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不 其实是高电压负载一定会带来大电流。 随意就会跃迁造成缩肛（其实就是漏电率更高了） 上面的说法是要配合低温（非常低，风冷准确说依靠室温制冷都做不到的低）才是正确的
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没有电压就不会有电流，而电压设定好后决定电流大小是电阻，电阻又跟温度有莫大的关系，你红字里头既然否定了电压和温度，那么你的电流大小又是怎么来的？
举例说温度恒定的情况下，怎么增加电流？结论不还是增加电压吗.....
那么电压不变的情况下，怎么增加电流？不就是降温吗......
你红字里头的逻辑否定了“因”却肯定了“果”，是不是有点混乱，有点搞笑......
还有你贴那白皮书什么用意？甩锅给Intel.....
右边4/6/7写的，是给主板厂商看的设计规范.....意思是你主板制造商的供电要达到多少的标准，波纹多少标准.....和你红字里头的逻辑没半点关系.....
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大哥还死要面子抗？？
我说了几遍了 是负载高电流杀u 高电流是高压带来的，但是仍然不能讲是高压杀硅因为高电压不等于高电流，只要没有负载高电压就没有害处。 同一块手机屏幕如果亮度高了，在显示时耗电量就增加。 现在你告诉我一个结论，如果亮度设置高了手机耗电一定增加，却不说明屏幕是否在使用。到底是谁的说法严谨呢？？？ 不是否定电压杀硅，而是电压不是所有情况都杀硅，懂了吗？
温度对晶体管内阻的曲线我都给你找来了，增加电流还降温？你睁眼说瞎话呢？
白皮书没告诉你iccmax是怎么定义的吗？最大处理器电流 第七条写的 如果超过了最大设计规格和低于最低设计规格则长期的硬件可靠性无法保证
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楼主一看就是现在国内大量流行的教条民科。基于公式去解释物理现象，混忘了公式是经过数学美化精简过的，物理学里面这些公式，大量看起来简单优美，实际不过是人为省略了不优美的那部分而已，只能近似描述物理现象而无法基于公式推导上层实现。既然想要科学解释CPU电压的变化，要么回到底层去重新一步步构建结果，要么干脆把整个系统视为只看输入输出的黑盒。像楼主这般从半山腰开始推，还不是看半山腰实景而只是看人家勾勒的素描，过程只要稍微出一个逻辑错误就会导致全盘谬误。
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说的简单点：大家都知道一年365天，但365天不过是人为定义简化的时间衡量概念而已。楼主基于365推导100年应该是精确的36500天，并试图以此为基础预测天文周期，结论就错的一塌糊涂。
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就知道有人会胡搅蛮缠 上示波器打你脸
1.29v 8级防掉压 对比 1.44v 5级防掉压前者35秒蓝屏 后者可以跑几个小时
1.29v lvl8防掉压 示波器显示1.31v 空载
pre 1.29v lvl8.jpg (131.17 KB, 下载次数: 0)
1.29v lvl8防掉压 示波器显示1.31v
空载防掉压lvl8 1.29v 放大波形 最低掉到1.24v 但是平均电压1.31v
pre 1.29v zoomed in.jpg (115.94 KB, 下载次数: 0)
空载防掉压lvl8 1.29v 放大波纹 最低掉到1.24v 但是平均电压1.31v
p95下 负载最低掉到1.24v 平均电压1.37v cpuz显示1.305v
pre p95.jpg (160.26 KB, 下载次数: 0)
1.44v 防掉压5级 实际电压1.44 空载
post 1.42v lvl5.jpg (162.06 KB, 下载次数: 0)
1.44v 防掉压5级 空载电压1.44 空载电压
p95下 平均电压1.39v 最低电压1.31v cpuz显示1.34v
post p95.jpg (154.87 KB, 下载次数: 0)
p95下 平均电压1.4v 最低电压1.30v
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我说一样功耗前提下面
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这个的话就要看两家实际的芯片设计，我可以发出一个三个7700k在持续高电流(当然时高电压引起的)负载下的缩肛曲线给你参考
3CYM1rW.png (89.32 KB, 下载次数: 0)
楼主暂时没有这个条件去搞几个au来这样测试所以不太能告诉你amd的安全电流大概是什么样的。并且这个根据制程/步进改变都是有变化的
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我始终说的都是你红字里面的描述，再有你红字里头的描述和后面的白皮书根本就没什么关系。
如果你红字里头单单说电流是杀硅片的元凶，那或许没错，但你又同时否定温度和电压，这就违反经典物理了.....
因为电流大小只能依靠电压和电阻（温度）来调节，没有了电压，你还拿什么来杀硅片......
举个例子，超频后到了夏天开始不稳定，不就是因为温度高了导致内阻增加，电流变小了吗？你能做的无非就是提高电压，或者降低温度来维持电流，所以电压/电流和电阻（温度）本身就是同步的，你不能否定一个而肯定另一个，明白了吗.....
再有白皮书和你红字里头的逻辑真的没有关系....
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a-Resistance-temperature-curve-for-transistor-sensor-b-Resistance-temperature-curve.png (24.38 KB, 下载次数: 0)
不好意思地球的晶体管高温内阻都是下降的
高温cpu内阻更低后供电波纹更烂导致更容易崩溃，就这么简单
你的逻辑能力是要咋样？？？你以为cpu每个负载都是一个电流吗？？你超高电压不拿来满载p95只拿来做中低负载每个核心两个线程都跑不满的事情，就不容易缩肛，缩也是缩经常满载的少量核心，也许他们本身就是体质较好的那几个核心，所以缩了也不影响整体的最低电压线，也许你狗屎运差他们就是本身最差的然后整体就缩了，懂了吗？？？
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以下摘抄至维基百科
电跃迁
1969年摩托罗拉公司吉姆·贝勒克的研究取得很重要的结果[2]，得出由于电迁移而使电路失效的平均时间T的公式为：
TIM截图20191228230856.png (2.15 KB, 下载次数: 0)
这里：A为与横截面积有关的常数；J为电流密度；N为无量纲因子，一般取2； Ea为电迁移的激活能；k为波尔兹曼常数；T为温度。
你看下这里为什么不提电压？？？ 因为根本就是无关变量
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防掉压越低越好，那不开的话是不是更好呢
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不开 按intel的掉压指导 掉的就有点猛 你为了总体负载电压很可能待机电压就超出安全范围了 从理论角度上说也不是很安全， 就算中低负载也可能超过电流极限，久了也缩肛， 所以还得开一点，所以我也说是在合理范围内越低越好
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那你为什么不对着这张图，再阅读一下自己红色文字当中的描述呢？
你现在的描述不也是与温度/电阻有关，且与自己红色文字里头的描述相反吗.....
电流不过是电压和电阻之间的产物，你不能说你扣动扳机那只手指犯了罪，而你是无辜的.....明白吗？估计你还是不明白.....
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哈哈哈 照这样说 举枪扣扳机有可能伤人 所以举枪抠扳机不管是打中了靶子还是人都是犯罪了是这个意思吗
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auto我看到经常都打满6级好像 不是特别靠谱
- -!
你果真表现的“不明白”.....
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请教下rog的防掉压，lv5和lv6哪个更好一点
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华硕建议开lv5或6，等级越高补偿的越多。
高负载时cpuz或aida显示的电压不准，并不是补偿后的真实电压。
一般来说低负载和高负载的电压波动越小越好，也就是初始电压别太低，防掉压别开太高。
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姑且不论对错，本来挺简单的一个逻辑，为啥非得写的像郭敬明那么磨叽……
你意思不就是说：在CPU从空载转入高负载时，防掉压往往会有一瞬间没来得及补偿电压，如果是“低空载电压+高防掉压”的设置组合，就可能会因为那一瞬间掉压掉得太低而崩掉，所以你更推荐“空载电压适中+防掉压适中”的设置。
也不知道你是自己逻辑不清，还是就为了故作高深……
另外不得不说，你如果我上面的理解没错的话，你所推荐的“空载电压适中+防掉压适中”的设置，就是一句非常正确的废话，CHH差不多是个人都知道这个理，根本没必要专门写这么一大堆来强行“理中客”一下。
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带理论支持我的论点所以墨迹
你懂所以你可以代表一个论坛的人都懂所以是废话
我写点东西公知你这种态度我有点看不明白啊
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楼主提出了一个他经过初步实验的看法，基于一些基础理论猜想了可能的远因。这是我看下来得到的信息。公式也是一种解释方式，您这样单说人家谬误，其实只要针对楼主的看法加以实验说明就可以啊，不要光大声吆喝嘛。
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另外，既然已经提到电源内阻，本身就说明这个相对高中物理的公式更进一步接近实际生活现象。微积分我相信念过大学多少都学点了的，但是微积分和电子学结合的就相对比较少，毕竟大学里有电子课的专业不多。最起码，有考虑电源内阻的“公式”也是要比高中物理的公式更接近实际一点，不是么？
我这里只是提到这些内容和大众的基础知识层面会有隔阂，而造成沟通的问题。并没有说楼主就一定是对的啊。
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我一直以为是用反馈环路调整电压的，原来是我想多了？。。。。
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各位有考虑欧姆定律的适用条件吗？可以明确地说，欧姆定律不适用于晶体管。
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所有fet也好 三极管也好 都有Rds on 联通的drain到source的电阻 每一次开关就有一个联通等效 欧姆定律完全适用
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只要是电路就一定适用欧姆定律。而且楼主说的没错，只要是元件损坏一定是高电流导致的，用电压是因为好测量更直观大众好理解而已
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顶多说在晶体管上电阻率是一个变动相对理想电阻变化很快的物理量,单纯的I=U/R的欧姆定律照样适用
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电流确实非常不直观 一个核心40a 和八个核心每个8a 都是40a一共 但是前者很可能是急速缩肛而后者就没事
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特别支持你的回帖。我也是这个意思。
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就是George Hinton的论文都是问题讲的明明白白，逻辑清清楚楚。
好的语言可以把深奥复杂的问题，模块化和逻辑化表达出来，让大家都能看明白。
你这帖子写的，确实是不清不楚。我本科都是名校学电子的，都读得头疼。
语法问题也有点大。
不要觉得自己好像讲了点理论，别人看不明白就是别人的问题。这本身是一个科学素养和语言表达的问题。
越是科学素养牛叉的人，写东西逻辑越清晰，越能把复杂的问题讲清楚。更何况你的标题，是“科普一下”。逻辑混乱不清，层次不清不楚，就连语法也很混乱，如何科普呢？不如标题改为“我弄明白了，自嗨一下”。 电路 电子 维修 我现在把定影部分拆出来了。想换下滚，因为卡纸。但是我发现灯管挡住了。拆不了。不会拆。论坛里的高手拆解过吗？ 评论 认真看，认真瞧。果然有收 电路 电子 维修 求创维42c08RD电路图 评论 电视的图纸很少见 评论 电视的图纸很少见 评论 创维的图纸你要说 版号，不然无能为力 评论 板号5800-p42ALM-0050 168P-P42CLM-01
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